主要応用分野
Hardware
製品・サービス概要
1. 窒化ガリウム（GaN）エピタキシャルウェーハ
2. 窒化ガリウム（GaN）トランジスタ
3. 窒化ガリウム（GaN）最終製品
2. 窒化ガリウム（GaN）トランジスタ
3. 窒化ガリウム（GaN）最終製品
上記の内容はAiによって翻訳されました。
設立年
2018
会社番号
50832401
企業ステータス
事業継続中
チームの規模
30
実払資本金
483,900,000 (元/新台湾ドル)
登録住所
台湾
, 台中市
ウェブサイトリンク
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会社概要
鴻鎵科技は、世界をリードする窒化ガリウム（GaN）の研究開発技術と先進的な製造技術により、世界に類を見ない省エネ・節電性能を備えたパワー半導体素子およびエンド製品を提供しています。
鴻鎵科技は、「プロフェッショナルとしての専門性」というコアバリューを堅持し、研究開発の継続と顧客へのサービス提供を通じて、安定した収益を上げる世界一の窒化ガリウム半導体企業を目指しています。さらに、すべての社員が自らの潜在能力を高め、常に自己を超越できるよう努力することを切に願っています。世界各国の優秀な人材が積極的に加わり、共に素晴らしい未来を創造することを心より歓迎いたします。
鴻鎵科技は、「プロフェッショナルとしての専門性」というコアバリューを堅持し、研究開発の継続と顧客へのサービス提供を通じて、安定した収益を上げる世界一の窒化ガリウム半導体企業を目指しています。さらに、すべての社員が自らの潜在能力を高め、常に自己を超越できるよう努力することを切に願っています。世界各国の優秀な人材が積極的に加わり、共に素晴らしい未来を創造することを心より歓迎いたします。
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