Atomic Level Emission Source（ALES）埃爾思とは、原子サイズの電界放出光源を意味し、当社のコア技術である「単原子針技術」でもあります。電界放出分野の世界的な権威である鄭天佐院士が米国からこの技術を台湾に持ち帰った後、彼が創設した表面科学研究室は中央研究院物理研究所において30年以上にわたり研究を深め、その最も重要な学術的成果の一つが単原子針の開発でした。単原子針は電界放出電子ビームまたはイオンビームに使用でき、原子サイズの電子またはイオン光源は最高の輝度を持ち、世界最先端の荷電粒子ビーム光源技術であり、半導体関連のプロセス・検査装置の分解能を向上させることができます。過去10数年の間に、多くの国際的に著名な集束イオンビーム（FIB）システムの大手メーカーが中央研究院物理研究所との提携を模索し、単原子イオン光源を用いた次世代集束イオンビームシステムの共同開発を期待してきました。しかしながら、科学研究の成果から商業化された成熟した装置にいたるまでには、依然として大きな隔たりがあり、装置メーカーによる評価や初期の共同テストを経たものの、共同開発プロジェクトはいずれも目標達成まで継続することはありませんでした。これを鑑み、埃爾思科技の創業者である張維哲博士は、2019年6月に約10年間勤務した中央研究院物理研究所を去ることを決意し、埃爾思科技股份有限公司を設立しました。そして、中央研究院から単原子針技術に関する特許ライセンスを取得し、埃爾思科技が単原子イオン光源技術の初期の商業化開発を完了させることで、次世代集束イオンビームシステムの開発を加速させることを目指しました。

埃爾思科技の設立後、イオン光源の性能向上と関連特許技術の開発に尽力すると同時に、多くの金属針先形状制御技術も派生して誕生しました。埃爾思はこれらの派生技術を利用し、ナノプローブ、マイクロプローブ、走査型プローブ顕微鏡（STM）プローブなどの製品を開発しました。その中でも、最先端半導体プロセスの電気的特性測定に適用されるナノプローブ測定システム（Nano Probing）は、ナノスケールの金属針先を用いてサンプルに対して接触式測定を行う必要があり、埃爾思科技は業界最高スペックのナノプローブを提供することができます。