主要応用分野
Manufacturing
製品・サービス概要
1. 低温エピタキシー技術：物理スパッタリング（一般に真空スパッタリングと呼ばれる）を採用しています。これは、電界を利用して動作ガスを電離させてプラズマを発生させ、ターゲット材への衝突を加速させることで、ターゲット上の材料を基板上にスパッタリング（堆積）させる技術です。適切な技術と装置を用いることで、良好な薄膜化学反応を促し、高品質なエピタキシャル薄膜を形成することができます。
2. 自己補償膜厚技術：スパッタリングエピタキシー技術は、プラズマがターゲット材に衝突した際に生じるスパッタリング効果により、材料が放出される角度がほぼ一定となります。そのため、適切なワーキングディスタンス、ターゲットと基板の相対位置、基板の回転などのパラメータを設定することにより、8〜12インチのウェーハサイズにおいて均一な薄膜厚さを得ることができ、ウェーハの中心部と外周部の膜厚誤差は1%となっています。
(上記はAI翻訳です。)
2. 自己補償膜厚技術：スパッタリングエピタキシー技術は、プラズマがターゲット材に衝突した際に生じるスパッタリング効果により、材料が放出される角度がほぼ一定となります。そのため、適切なワーキングディスタンス、ターゲットと基板の相対位置、基板の回転などのパラメータを設定することにより、8〜12インチのウェーハサイズにおいて均一な薄膜厚さを得ることができ、ウェーハの中心部と外周部の膜厚誤差は1%となっています。
(上記はAI翻訳です。)
設立年
2017
会社番号
69727061
企業ステータス
事業継続中
チームの規模
0
実払資本金
5,000,000 (元/新台湾ドル)
登録住所
台湾
, 新竹市
ウェブサイトリンク
設立年、会社形態、責任者、資本金、登記住所は「経済部商務発展司全国商工管理サービスポータル」より取得したものです。
会員限定コンテンツ
会員限定コンテンツです。閲覧するにはログインしてください
会社概要
進化光學有限公司(Microluce, LTD)は2017年10月に設立されました。科技部の「萌芽計画」の支援を受けて設立された当社は、大学内の先端技術を産業界へと技術移転しています。技術メンバーは国立中央大学薄膜技術センターの教員と学生で構成され、業界のシニアマネージャーを交えて、スパッタリング技術および装置の開発による窒化ガリウム（GaN）低温エピタキシャル成長を行っており、8〜12インチのシリコン基板窒化ガリウム（GaN-on-Si）エピタキシャルウェーハの製造を目標としています。また、さまざまなビジネスモデルに基づき、お客様のニーズに合わせた装置の売買および開発にも対応しております。
(上記はAI翻訳です。)
(上記はAI翻訳です。)
